أعلنت شركة سامسونج الكورية الجنوبية عن شريحة ذاكرة وصول عشوائي (RAM) جديدة منها، ومع أن الشركة لم تقدم الكثير من التفاصيل، فقد قالت أن الشريحة الجديدة تستهلك طاقة أقل بحوالي 13% بينما تقدم أداءً مضاعفاً لما هو متاح اليوم بفضل كونها مبنية على معايير DDR5، وبالطبع يبقى المميز في الشريحة هو الحجم الهائل وغير المسبوق الذي تقدمه.

وفق سامسونج، فالشريحة الجديدة تستخدم تقنية خاصة لتكديس 8 طبقات من الشرائح الإلكترونية فوق بعضها البعض، وهذا هو سر الحجم الهائل المتاح عبرها. كما أنها تستبدل السيليكون الذي يشكل أساس الشرائح الإلكترونية عادة بمعدن آخر هو الهافنيوم مما يساعد على زيادة السرعة وتخفيض الحاجة للطاقة بشكل كبير.

حالياً ستكون شرائح ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة متجهة نحو الخوادم والحواسيب الخارقة بالدرجة الأولى نهاية العام، حيث تمتلك استخدامات حقيقية ومبررة هناك، كما أنها تستخدم تقنيات جديدة تحتاج إلى معالجات خاصة (الجيل القادم من معالجات Intel Xeon) لتعمل معها. ومع أن هذه التقنية ستصل إلى المنتجات الموجهة للمستهلكين الأفراد بالمحصلة، فالأمر قد يحتاج سنوات عديدة ريثما يكون هناك مبررات حقيقية لاستخدام شرائح ذاكرة وصول عشوائي بحجم 512GB لكل منها.

مِيناتك